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金融界2025年5月5日消息，国家知识产权局信息显示，上海新昇半导体科技有限公司申请一项名为“重掺杂P型硅片BMD的量测方法、获取硅片生长BMD热处理最优条件的方法、系统及计算机可读介质”的专利，公开号CN119915773A，申请日期为2024年12月。

专利摘要显示，本发明提供了一种重掺杂P型硅片BMD的量测方法、获取硅片生长BMD热处理最优条件的方法、系统及计算机可读介质，属于半导体领域。该重掺杂P型硅片BMD的量测方法包括提供若干重掺杂P型硅片，将所述硅片在有氧条件下进行两段热处理，包括于第一设定温度下热处理第一设定时间，并随后以设定的升温速率加热至第二设定温度，于第二设定温度条件下，加热处理第二设定时间，以在所述硅片生长BMD。将生长有BMD的硅片清洗处理。对硅片进行量测，获取所述硅片BMD的密度和大小。本发明通过对硅片能够形成最大BMD密度进行一个相对准确的定量，以评估重掺杂P型硅片的特性，对后道加工工艺具有指导性意义。

天眼查资料显示，上海新昇半导体科技有限公司，成立于2014年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本238000万人民币。通过天眼查大数据分析，上海新昇半导体科技有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目2037次，财产线索方面有商标信息14条，专利信息693条，此外企业还拥有行政许可217个。

本文源自：金融界